
SIS862ADN-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIS862ADN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIS862ADN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIS862ADN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIS862ADN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 29 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 15,8A (Ta), 52A (Tc) 3,6W (Ta), 39W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIS862ADN-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 60 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 7,2mohm a 10A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 30 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1235 pF @ 30 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 3,6W (Ta), 39W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,17000 | € 1,17 |
| 10 | € 0,74000 | € 7,40 |
| 100 | € 0,49010 | € 49,01 |
| 500 | € 0,38268 | € 191,34 |
| 1 000 | € 0,34808 | € 348,08 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,30415 | € 912,45 |
| 6 000 | € 0,28205 | € 1 692,30 |
| 9 000 | € 0,27079 | € 2 437,11 |
| 15 000 | € 0,26613 | € 3 991,95 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,17000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,42740 |




