Name: SIS698DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIS698DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.2932 EUR
Availability: InStock

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SIS698DN-T1-GE3
Codice DigiKey	742-SIS698DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIS698DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIS698DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIS698DN-T1-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 6.9A PPAK1212-8
Tempi di consegna standard del produttore	38 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 6,9 A (Tc) 19,8W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,5V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 8 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 210 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 19,8W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6,9 A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore/involucro PowerPAK® 1212-8
RDSon (max) a Id, Vgs 195mohm a 2,5A, 10V	Codice componente base SIS698

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Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
RQ3G150GNTB	Rohm Semiconductor	5 684	RQ3G150GNTBCT-ND	€ 1,56000	Simile
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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,06000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,29320

SIS698DN-T1-GE3