Name: SIS435DNT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS435DNT-T1-GE3TR-ND
Price: 1.4884 EUR
Availability: InStock

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SIS435DNT-T1-GE3
Codice DigiKey	SIS435DNT-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIS435DNT-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIS435DNT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIS435DNT-T1-GE3
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8
Tempi di consegna standard del produttore	38 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 30 A (Tc) 3,7W (Ta), 39W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SIS435DNT-T1-GE3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 900mV a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 180 nC @ 8 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±8V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5700 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,7W (Ta), 39W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 30 A (Tc)	Contenitore/involucro PowerPAK® 1212-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V	Codice componente base SIS435
RDSon (max) a Id, Vgs 5,4mohm a 13A, 4,5V

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In magazzino: 12 031

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,22000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,48840

SIS435DNT-T1-GE3