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SIS427EDN-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIS427EDN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIS427EDN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIS427EDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIS427EDN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 38 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 30 V 50 A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIS427EDN-T1-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 66 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±25V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1930 pF @ 15 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 3,7W (Ta), 52W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 10,6mohm a 11A, 10V |
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In magazzino: 61 669
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,99000 | € 0,99 |
| 10 | € 0,61800 | € 6,18 |
| 100 | € 0,40460 | € 40,46 |
| 500 | € 0,31284 | € 156,42 |
| 1 000 | € 0,28331 | € 283,31 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,24577 | € 737,31 |
| 6 000 | € 0,22688 | € 1 361,28 |
| 9 000 | € 0,21725 | € 1 955,25 |
| 15 000 | € 0,20644 | € 3 096,60 |
| 21 000 | € 0,20003 | € 4 200,63 |
| 30 000 | € 0,19381 | € 5 814,30 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,99000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,20780 |
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