Name: SIRS580DPW-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIRS580DPW-T1-RE3TR-ND
Price: 3.5868 EUR
Availability: InStock

Nuovo prodotto

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SIRS580DPW-T1-RE3
Codice DigiKey	742-SIRS580DPW-T1-RE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIRS580DPW-T1-RE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIRS580DPW-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIRS580DPW-T1-RE3
Descrizione	N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore	55 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 38A (Ta), 190A (Tc) 6,9W (Ta), 171W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 2,5mohm a 20A, 10V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 77 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5045 pF @ 40 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 6,9W (Ta), 171W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 38A (Ta), 190A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 7,5V, 10V	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3 000	€ 0,89574	€ 2 687,22
6 000	€ 0,86265	€ 5 175,90

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,94000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 3,58680

SIRS580DPW-T1-RE3