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SIR826ADP-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIR826ADP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIR826ADP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIR826ADP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIR826ADP-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 33 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 80 V 60 A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIR826ADP-T1-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 80 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 5,5mohm a 20A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,8V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 86 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2800 pF @ 40 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 6,25W (Ta), 104W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
In magazzino: 5 190
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 2,82000 | € 2,82 |
| 10 | € 1,83100 | € 18,31 |
| 100 | € 1,27150 | € 127,15 |
| 500 | € 1,08360 | € 541,80 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,88529 | € 2 655,87 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 2,82000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 3,44040 |
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