Name: SIR800DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR800DP-T1-GE3TR-ND
Price: 2.6108 EUR
Availability: InStock

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SIR800DP-T1-GE3
Codice DigiKey	SIR800DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIR800DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIR800DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIR800DP-T1-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
Tempi di consegna standard del produttore	38 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 50 A (Tc) 5,2W (Ta), 69W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,5V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 133 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±12V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5125 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 5,2W (Ta), 69W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 50 A (Tc)	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 10V	Codice componente base SIR800
RDSon (max) a Id, Vgs 2,3mohm a 15A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,14000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,61080

SIR800DP-T1-GE3