Name: SIR688DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR688DP-T1-GE3TR-ND
Price: 3.0378 EUR
Availability: InStock

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SIR688DP-T1-GE3
Codice DigiKey	SIR688DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIR688DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIR688DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIR688DP-T1-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Tempi di consegna standard del produttore	55 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 60 A (Tc) 5,4W (Ta), 83W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,7V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 66 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3105 pF @ 30 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 5,4W (Ta), 83W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 60 A (Tc)	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base SIR688
RDSon (max) a Id, Vgs 3,5mohm a 20A, 10V

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Sostituti (5)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DI080N06PQ	Diotec Semiconductor	5 000	4878-DI080N06PQCT-ND	€ 2,47000	Simile
IRFH7085TRPBF	Infineon Technologies	2 945	IRFH7085TRPBFCT-ND	€ 2,43000	Simile
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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,49000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 3,03780

SIR688DP-T1-GE3