Name: SIR588DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR588DP-T1-RE3TR-ND
Price: 1.8178 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SIR588DP-T1-RE3
Codice DigiKey	742-SIR588DP-T1-RE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIR588DP-T1-RE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIR588DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIR588DP-T1-RE3
Descrizione	N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 17,2A (Ta), 59,5A (Tc) 5W (Ta), 59,5W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 8mohm a 10A, 10V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Serie TrenchFET® Gen V	Carica del gate (Qg) max a Vgs 28.5 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1380 pF @ 40 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 5W (Ta), 59,5W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 17,2A (Ta), 59,5A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 7,5V, 10V	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8