Name: SIR510DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR510DP-T1-RE3TR-ND
Price: 3.5502 EUR
Availability: InStock

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SIR510DP-T1-RE3
Codice DigiKey	742-SIR510DP-T1-RE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIR510DP-T1-RE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIR510DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIR510DP-T1-RE3
Descrizione	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Tempi di consegna standard del produttore	25 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 31A (Ta), 126A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 3,6mohm a 20A, 10V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Serie TrenchFET® Gen V	Carica del gate (Qg) max a Vgs 81 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4980 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 6,25W (Ta), 104W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 31A (Ta), 126A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 7,5V, 10V	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8