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SIR1309DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SIR1309DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIR1309DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIR1309DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIR1309DP-T1-GE3 |
Descrizione | P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 30 V 19,1A (Ta), 65,7A (Tc) 4,8W (Ta), 56,8W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIR1309DP-T1-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 7,3mohm a 10A, 10V |
Produttore | Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 87 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Vgs (max) ±25V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3250 pF @ 15 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 4,8W (Ta), 56,8W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
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In magazzino: 6 769
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,30000 | € 1,30 |
| 10 | € 0,81800 | € 8,18 |
| 100 | € 0,54300 | € 54,30 |
| 500 | € 0,42488 | € 212,44 |
| 1 000 | € 0,38684 | € 386,84 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,33854 | € 1 015,62 |
| 6 000 | € 0,31422 | € 1 885,32 |
| 9 000 | € 0,30184 | € 2 716,56 |
| 15 000 | € 0,28793 | € 4 318,95 |
| 21 000 | € 0,27970 | € 5 873,70 |
| 30 000 | € 0,27962 | € 8 388,60 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,30000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,58600 |
