Name: SIJH5100E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJH5100E-T1-GE3TR-ND
Price: 7.625 EUR
Availability: InStock

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SIJH5100E-T1-GE3
Codice DigiKey	742-SIJH5100E-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIJH5100E-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIJH5100E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIJH5100E-T1-GE3
Descrizione	N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Tempi di consegna standard del produttore	55 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 28A (Ta), 277A (Tc) 3,3W (Ta), 333W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 8 x 8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SIJH5100E-T1-GE3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 1,89mohm a 20A, 10V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 128 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6900 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3,3W (Ta), 333W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 28A (Ta), 277A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerPAK® 8 x 8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 7,5V, 10V	Contenitore/involucro PowerPAK® 8 x 8

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2 000	€ 2,37972	€ 4 759,44

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 6,25000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 7,62500

SIJH5100E-T1-GE3