Canale N 40 V 60 A (Tc) 48W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
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SIJA52DP-T1-GE3

Codice DigiKey
SIJA52DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SIJA52DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SIJA52DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SIJA52DP-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Tempi di consegna standard del produttore
55 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 40 V 60 A (Tc) 48W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SIJA52DP-T1-GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
2,4V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
150 nC @ 20 V
Serie
Vgs (max)
+20V, -16V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
7150 pF @ 20 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
48W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
40 V
Contenitore del fornitore
PowerPAK® SO-8
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
1,7mohm a 15A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 2,06000€ 2,06
10€ 1,31800€ 13,18
100€ 0,89640€ 89,64
500€ 0,71586€ 357,93
1 000€ 0,65779€ 657,79
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,58411€ 1 752,33
6 000€ 0,54704€ 3 282,24
9 000€ 0,52843€ 4 755,87
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,06000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,51320