
SIJA52DP-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SIJA52DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIJA52DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIJA52DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIJA52DP-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 55 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 40 V 60 A (Tc) 48W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIJA52DP-T1-GE3 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 150 nC @ 20 V |
Serie | Vgs (max) +20V, -16V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 7150 pF @ 20 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 48W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 40 V | Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 1,7mohm a 15A, 10V |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 2,06000 | € 2,06 |
| 10 | € 1,31800 | € 13,18 |
| 100 | € 0,89640 | € 89,64 |
| 500 | € 0,71586 | € 357,93 |
| 1 000 | € 0,65779 | € 657,79 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,58411 | € 1 752,33 |
| 6 000 | € 0,54704 | € 3 282,24 |
| 9 000 | € 0,52843 | € 4 755,87 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 2,06000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,51320 |

