SQJA72EP-T1_GE3
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SIJA52DP-T1-GE3

Codice DigiKey
SIJA52DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SIJA52DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SIJA52DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SIJA52DP-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Tempi di consegna standard del produttore
33 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 40 V 60 A (Tc) 48W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SIJA52DP-T1-GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
60 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
1,7mohm a 15A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
150 nC @ 20 V
Vgs (max)
+20V, -16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
7150 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
48W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PowerPAK® SO-8
Contenitore/involucro
PowerPAK® SO-8
Codice componente base
SIJA52
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,67000€ 1,67
10€ 1,06400€ 10,64
100€ 0,71760€ 71,76
500€ 0,56910€ 284,55
1 000€ 0,52991€ 529,91
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,46066€ 1 381,98
6 000€ 0,43293€ 2 597,58
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,67000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,03740