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Vishay Siliconix
In magazzino: 1 938
Prezzo unitario : € 4,27000
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In magazzino: 635
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IXYS
In magazzino: 0
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IXYS
In magazzino: 0
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STMicroelectronics
In magazzino: 112
Prezzo unitario : € 6,20000
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Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino: 31
Prezzo unitario : € 3,80000
Scheda tecnica
Canale N 600 V 20 A (Tc) 179W (Tc) Foro passante TO-220AB
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SIHP22N60AE-GE3

Codice DigiKey
SIHP22N60AE-GE3-ND
Produttore
Codice produttore
SIHP22N60AE-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
Tempi di consegna standard del produttore
22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 20 A (Tc) 179W (Tc) Foro passante TO-220AB
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
96 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±30V
Confezionamento
Tubo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1451 pF @ 100 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
179W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
Foro passante
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Contenitore del fornitore
TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
180mohm a 11A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (8)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
SIHP22N60AE-BE3Vishay Siliconix1 938742-SIHP22N60AE-BE3-ND€ 4,27000Diretto
FCP190N65S3onsemi635FCP190N65S3-ND€ 3,95000Simile
IPP60R190E6XKSA1Infineon Technologies1 839448-IPP60R190E6XKSA1-ND€ 3,24000Simile
IXFP24N60XIXYS0IXFP24N60X-ND€ 2,62577Simile
IXFP30N60XIXYS0IXFP30N60X-ND€ 2,97370Simile
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Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1 000€ 1,76563€ 1 765,63
Contenitore standard del produttore
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Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,76563
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,15407