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Novità in DigiKey
Canale N 60 V 7,7 A (Tc) 2,5W (Ta), 25W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
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SIHLR014TRL-GE3

Codice DigiKey
742-SIHLR014TRL-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
SIHLR014TRL-GE3
Descrizione
LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V
Tempi di consegna standard del produttore
32 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 7,7 A (Tc) 2,5W (Ta), 25W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
RDSon (max) a Id, Vgs
200mohm a 4,6A, 5V
Produttore
Vgs(th) max a Id
2V a 250µA
Serie
Carica del gate (Qg) max a Vgs
8.4 nC @ 5 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Vgs (max)
±10V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
400 pF @ 25 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
2,5W (Ta), 25W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
TO-252AA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4V, 5V
Contenitore/involucro
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (4)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
IRLR014PBFVishay Siliconix0IRLR014PBF-ND€ 1,83000Equivalente parametrico
IRLR014TRLPBFVishay Siliconix0IRLR014TRLPBF-ND€ 0,47462Equivalente parametrico
IRLR014TRPBFVishay Siliconix0IRLR014PBFCT-ND€ 1,83000Equivalente parametrico
SIHLR014-GE3Vishay Siliconix0742-SIHLR014-GE3TR-ND€ 0,21215Equivalente parametrico
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,20470€ 614,10
6 000€ 0,19930€ 1 195,80
9 000€ 0,19660€ 1 769,40
15 000€ 0,19360€ 2 904,00
21 000€ 0,19185€ 4 028,85
30 000€ 0,19016€ 5 704,80
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,20470
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,24973