Name: SIHK185N60EF-T1GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHK185N60EF-T1GE3TR-ND
Price: 6.0634 EUR
Availability: InStock

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SIHK185N60EF-T1GE3
Codice DigiKey	742-SIHK185N60EF-T1GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIHK185N60EF-T1GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIHK185N60EF-T1GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIHK185N60EF-T1GE3
Descrizione	EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Tempi di consegna standard del produttore	22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 16 A (Tc) 114W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK®10 x 12
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SIHK185N60EF-T1GE3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 193mohm a 9,5A, 10V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 5V a 250µA
Serie EF	Carica del gate (Qg) max a Vgs 32 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±30V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1081 pF @ 100 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 114W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 16 A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerPAK®10 x 12
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro 8-PowerBSFN

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In magazzino: 2 000

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2 000	€ 1,75611	€ 3 512,22

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 4,97000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 6,06340

SIHK185N60EF-T1GE3