Name: SIHK155N60E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHK155N60E-T1-GE3TR-ND
Price: 6.771 EUR
Availability: InStock

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SIHK155N60E-T1-GE3
Codice DigiKey	742-SIHK155N60E-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIHK155N60E-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIHK155N60E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIHK155N60E-T1-GE3
Descrizione	E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Tempi di consegna standard del produttore	22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 19 A (Tc) 156W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK®10 x 12
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 36 nC @ 10 V
Serie E	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1514 pF @ 100 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 156W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Contenitore del fornitore PowerPAK®10 x 12
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 19 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerBSFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base SIHK155
RDSon (max) a Id, Vgs 155mohm a 10A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2 000	€ 2,03445	€ 4 068,90

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 5,55000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 6,77100

SIHK155N60E-T1-GE3