Name: SIHH085N60EF-T1GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHH085N60EF-T1GE3TR-ND
Price: 9.15 EUR
Availability: InStock

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SIHH085N60EF-T1GE3
Codice DigiKey	742-SIHH085N60EF-T1GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIHH085N60EF-T1GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIHH085N60EF-T1GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIHH085N60EF-T1GE3
Descrizione	EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 30 A (Tc) 184W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 8 x 8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 63 nC @ 10 V
Serie EF	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2733 pF @ 100 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 184W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Contenitore del fornitore PowerPAK® 8 x 8
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 30 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base SIHH085
RDSon (max) a Id, Vgs 85mohm a 17A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3 000	€ 3,03308	€ 9 099,24

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 7,50000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 9,15000

SIHH085N60EF-T1GE3