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SIHG11N80E-GE3

Codice DigiKey
SIHG11N80E-GE3-ND
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SIHG11N80E-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC
Tempi di consegna standard del produttore
25 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 800 V 12 A (Tc) 179W (Tc) Foro passante TO-247AC
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
E
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
800 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
12 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
440mohm a 5,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1670 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
179W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
TO-247AC
Contenitore/involucro
TO-247-3
Codice componente base
SIHG11
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Quantità
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Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
500€ 1,70038€ 850,19
Contenitore standard del produttore
Nota: a causa dei servizi a valore aggiunto di DigiKey, il tipo di confezionamento può cambiare quando un prodotto viene acquistato in quantità inferiori alla confezione standard.
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,70038
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,07446