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SIHD7N60ET4-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIHD7N60ET4-GE3-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | SIHD7N60ET4-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 7 A (Tc) 78W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 40 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 680 pF @ 100 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 78W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Contenitore del fornitore TO-252AA |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 600mohm a 3,5A, 10V |
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Sostituti (10)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHD7N60E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHD7N60E-E3-ND | € 0,84813 | Equivalente parametrico |
| SIHD7N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 20 | SIHD7N60E-GE3-ND | € 2,49000 | Equivalente parametrico |
| SIHD7N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | 742-SIHD7N60ET1-GE3TR-ND | € 0,68168 | Equivalente parametrico |
| SIHD7N60ET5-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHD7N60ET5-GE3-ND | € 0,74604 | Equivalente parametrico |
| IPD80R450P7ATMA1 | Infineon Technologies | 8 734 | IPD80R450P7ATMA1CT-ND | € 2,29000 | Simile |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,61440 | € 1 843,20 |
| 6 000 | € 0,60555 | € 3 633,30 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,61440 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,74957 |
