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SIHD6N62ET1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIHD6N62ET1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | SIHD6N62ET1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 620 V 6 A (Tc) 78W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 34 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 578 pF @ 100 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 78W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 620 V | Contenitore del fornitore TO-252AA |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 900mohm a 3A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFA10N80P | IXYS | 29 556 | IXFA10N80P-ND | € 5,60000 | Simile |
| STB6NK60ZT4 | STMicroelectronics | 764 | 497-12537-1-ND | € 3,03000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 000 | € 0,61647 | € 1 232,94 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,61647 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,75209 |



