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Scheda tecnica
Canale N 620 V 6 A (Tc) 78W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
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SIHD6N62ET1-GE3

Codice DigiKey
SIHD6N62ET1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
SIHD6N62ET1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA
Tempi di consegna standard del produttore
22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 620 V 6 A (Tc) 78W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
34 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±30V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
578 pF @ 100 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
78W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
620 V
Contenitore del fornitore
TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
900mohm a 3A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (2)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
IXFA10N80PIXYS29 556IXFA10N80P-ND€ 5,60000Simile
STB6NK60ZT4STMicroelectronics764497-12537-1-ND€ 3,03000Simile
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 000€ 0,61647€ 1 232,94
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,61647
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,75209