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SIHD5N50D-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIHD5N50D-GE3-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SIHD5N50D-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252AA |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 500 V 5,3 A (Tc) 104W (Tc) A montaggio superficiale DPAK |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 20 nC @ 10 V |
Confezionamento Tubo | Vgs (max) ±30V |
Stato componente Obsoleto | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 325 pF @ 100 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 104W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 500 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore DPAK |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 1,5ohm a 2,5A, 10V | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF830PBF | Vishay Siliconix | 2 405 | IRF830PBF-ND | € 2,27000 | Consigliato dal produttore |
| FDD5N50NZTM | onsemi | 4 748 | FDD5N50NZTMCT-ND | € 1,47000 | Simile |
| RJK5030DPD-00#J2 | Renesas Electronics Corporation | 0 | RJK5030DPD-00#J2-ND | € 0,65362 | Simile |
| STD5N52K3 | STMicroelectronics | 0 | 497-10957-1-ND | € 1,68000 | Simile |
| STD5N52U | STMicroelectronics | 3 109 | 497-10017-1-ND | € 1,55000 | Simile |






