SIHD3N50D-GE3 Vishay Siliconix | FET, MOSFET singoli

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SIHD3N50D-GE3
Codice DigiKey	SIHD3N50D-GE3-ND
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIHD3N50D-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 3A TO252AA
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 500 V 3 A (Tc) 69W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 12 nC @ 10 V
Confezionamento Tubo	Vgs (max) ±30V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 175 pF @ 100 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 69W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 500 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3 A (Tc)	Contenitore del fornitore DPAK
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 3,2ohm a 2,5A, 10V	Codice componente base SIHD3

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IRFR420APBF	Vishay Siliconix	1 319	IRFR420APBF-ND	€ 2,07000	Consigliato dal produttore
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