
SIHD180N60E-GE3 | |
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Codice DigiKey | SIHD180N60E-GE3-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SIHD180N60E-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 19A TO252AA |
Tempi di consegna standard del produttore | 17 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 19 A (Tc) 156W (Tc) A montaggio superficiale DPAK |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 32 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1080 pF @ 100 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 156W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Contenitore del fornitore DPAK |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 195mohm a 9,5A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
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| TSM60NE285CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | 4 975 | 1801-TSM60NE285CPROGCT-ND | € 3,38000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 3,51000 | € 3,51 |
| 10 | € 2,29900 | € 22,99 |
| 100 | € 1,61240 | € 161,24 |
| 500 | € 1,31932 | € 659,66 |
| 1 000 | € 1,22516 | € 1 225,16 |
| 3 000 | € 1,10573 | € 3 317,19 |
| 6 000 | € 1,09531 | € 6 571,86 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 3,51000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 4,28220 |

