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SIHB6N65E-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIHB6N65E-GE3-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SIHB6N65E-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 24 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 7 A (Tc) 78W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 48 nC @ 10 V |
Confezionamento Tubo | Vgs (max) ±30V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 820 pF @ 100 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 78W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK) |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 600mohm a 3A, 10V | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFA14N60P | IXYS | 90 | IXFA14N60P-ND | € 6,08000 | Simile |
| IXFA16N60P3 | IXYS | 0 | IXFA16N60P3-ND | € 4,86327 | Simile |
| STB11NM60T4 | STMicroelectronics | 1 444 | 497-6545-1-ND | € 4,81000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 2,41000 | € 2,41 |
| 10 | € 1,55800 | € 15,58 |
| 100 | € 1,06880 | € 106,88 |
| 500 | € 0,85980 | € 429,90 |
| 1 000 | € 0,79261 | € 792,61 |
| 2 000 | € 0,73611 | € 1 472,22 |
| 5 000 | € 0,67501 | € 3 375,05 |
| 10 000 | € 0,65867 | € 6 586,70 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 2,41000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,94020 |



