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SIHB22N65E-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIHB22N65E-GE3-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SIHB22N65E-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 24 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 22 A (Tc) 227W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIHB22N65E-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 110 nC @ 10 V |
Confezionamento Tubo | Vgs (max) ±30V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2415 pF @ 100 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 227W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK) |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 180mohm a 11A, 10V | Codice componente base |
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Sostituti (12)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FCB20N60FTM | onsemi | 1 795 | FCB20N60FTMCT-ND | € 5,97000 | Diretto |
| FCB199N65S3 | onsemi | 578 | 488-FCB199N65S3CT-ND | € 4,39000 | Simile |
| IPB60R160C6ATMA1 | Infineon Technologies | 1 095 | IPB60R160C6ATMA1CT-ND | € 3,60000 | Simile |
| IPB60R190C6ATMA1 | Infineon Technologies | 10 460 | IPB60R190C6ATMA1CT-ND | € 3,37000 | Simile |
| IXFA22N65X2 | IXYS | 4 207 | 238-IXFA22N65X2-ND | € 6,65000 | Simile |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 000 | € 2,26430 | € 2 264,30 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 2,26430 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,76245 |
