Name: SIHB20N50E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB20N50E-GE3-ND
Price: 4.7336 EUR
Availability: InStock

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SIHB20N50E-GE3
Codice DigiKey	SIHB20N50E-GE3-ND
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIHB20N50E-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 19A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 500 V 19 A (Tc) 179W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 92 nC @ 10 V
Confezionamento Sfuso	Vgs (max) ±30V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1640 pF @ 100 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 179W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 500 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 19 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 184mohm a 10A, 10V	Codice componente base SIHB20

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Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 3,88000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 4,73360

SIHB20N50E-GE3