SIHB12N50E-GE3 è esaurito e può essere richiesto per un ordine arretrato.
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Scheda tecnica
Canale N 500 V 10,5 A (Tc) 114W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
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Canale N 500 V 10,5 A (Tc) 114W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

SIHB12N50E-GE3

Codice DigiKey
SIHB12N50E-GE3-ND
Produttore
Codice produttore
SIHB12N50E-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 500V 10.5A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore
22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 500 V 10,5 A (Tc) 114W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
50 nC @ 10 V
Confezionamento
Sfuso
Vgs (max)
±30V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
886 pF @ 100 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
114W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
500 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
TO-263 (D2PAK)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
380mohm a 6A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (4)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
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Sfuso
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 2,83000€ 2,83
10€ 1,83700€ 18,37
100€ 1,27240€ 127,24
500€ 1,03094€ 515,47
1 000€ 0,95336€ 953,36
2 000€ 0,88813€ 1 776,26
5 000€ 0,81803€ 4 090,15
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,83000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 3,45260