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Novità in DigiKey
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SIHB068N60EF-T1GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SIHB068N60EF-T1GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | SIHB068N60EF-T1GE3 |
Descrizione | N-CHANNEL 600V |
Tempi di consegna standard del produttore | 26 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 41 A (Tc) 250W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 68mohm a 16A, 10V |
Produttore | Vgs(th) max a Id 5V a 250µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 77 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Vgs (max) ±30V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2628 pF @ 100 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK) |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
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Sostituti (2)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHB068N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | 742-SIHB068N60EF-GE3-ND | € 5,73000 | Equivalente parametrico |
| SIHB068N60EF-T5GE3 | Vishay Siliconix | 0 | 742-SIHB068N60EF-T5GE3TR-ND | € 2,38621 | Equivalente parametrico |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 800 | € 2,38621 | € 1 908,97 |
| 1 600 | € 2,32978 | € 3 727,65 |
| 2 400 | € 2,30150 | € 5 523,60 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 2,38621 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,91118 |
