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SIHA21N60EF-E3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIHA21N60EF-E3-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SIHA21N60EF-E3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 21A TO220 |
Tempi di consegna standard del produttore | 26 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 21 A (Tc) 35W (Tc) Foro passante TO-220 Full Pack |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 84 nC @ 10 V |
Confezionamento Tubo | Vgs (max) ±30V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2030 pF @ 100 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 35W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Tipo di montaggio Foro passante |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-220 Full Pack |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 176mohm a 11A, 10V | Codice componente base |
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Sostituti (4)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| TSM60NE145CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 2 000 | 1801-TSM60NE145CITC0G-ND | € 5,23000 | Simile |
| TSM60NE180CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 2 000 | 1801-TSM60NE180CITC0G-ND | € 4,84000 | Simile |
| TSM60NE200CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 2 000 | 1801-TSM60NE200CITC0G-ND | € 4,39000 | Simile |
| TSM60NE285CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 2 000 | 1801-TSM60NE285CITC0G-ND | € 3,71000 | Simile |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 000 | € 1,88605 | € 1 886,05 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,88605 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,30098 |
