Name: SIDR680DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIDR680DP-T1-GE3TR-ND
Price: 4.4896 EUR
Availability: InStock

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SIDR680DP-T1-GE3
Codice DigiKey	SIDR680DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIDR680DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIDR680DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIDR680DP-T1-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK
Tempi di consegna standard del produttore	55 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 32,8 A (Ta), 100 A (Tc) 6,25W (Ta), 125W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8DC
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,4V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 105 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen IV	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5150 pF @ 40 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 6,25W (Ta), 125W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8DC
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 32,8 A (Ta), 100 A (Tc)	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 7,5V, 10V	Codice componente base SIDR680
RDSon (max) a Id, Vgs 2,9mohm a 20A, 10V