Name: SIDR668ADP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR668ADP-T1-RE3TR-ND
Price: 3.3672 EUR
Availability: InStock

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SIDR668ADP-T1-RE3
Codice DigiKey	742-SIDR668ADP-T1-RE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIDR668ADP-T1-RE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIDR668ADP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIDR668ADP-T1-RE3
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 23.3A/104A PPAK
Tempi di consegna standard del produttore	29 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 23,3A (Ta), 104A (Tc) 6,25W (Ta), 125W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8DC
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SIDR668ADP-T1-RE3 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	23,3A (Ta), 104A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	7,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	4,8mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	81 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	3750 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	6,25W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PowerPAK® SO-8DC
Contenitore/involucro	PowerPAK® SO-8
Codice componente base	SIDR668

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In magazzino: 2 246

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3 000	€ 0,86413	€ 2 592,39

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,76000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 3,36720

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