


SIDR402DP-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SIDR402DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIDR402DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIDR402DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIDR402DP-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 40V 64.6A/100A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 55 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 40 V 64,6 A (Ta), 100 A (Tc) 6,25W (Ta), 125W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8DC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,3V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 165 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) +20V, -16V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 9100 pF @ 20 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 6,25W (Ta), 125W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 40 V | Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8DC |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 0,88mohm a 20A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
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| SIDR402DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | 191 | 742-SIDR402DP-T1-RE3CT-ND | € 3,39000 | Equivalente parametrico |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 3,39000 | € 3,39 |
| 10 | € 2,22200 | € 22,22 |
| 100 | € 1,55570 | € 155,57 |
| 500 | € 1,28290 | € 641,45 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 1,06348 | € 3 190,44 |
| 6 000 | € 1,04812 | € 6 288,72 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 3,39000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 4,13580 |


