
SIA921EDJ-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SIA921EDJ-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIA921EDJ-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIA921EDJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIA921EDJ-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 49 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 4,5A 7,8W A montaggio superficiale PowerPAK® SC-70-6 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIA921EDJ-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali P (doppio) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 20V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 4,5A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 59mohm a 3,6A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1,4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 23nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | - | |
Potenza - Max | 7,8W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | PowerPAK® SC-70-6 doppio | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SC-70-6 doppio | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,93000 | € 0,93 |
| 10 | € 0,58600 | € 5,86 |
| 100 | € 0,38390 | € 38,39 |
| 500 | € 0,29694 | € 148,47 |
| 1 000 | € 0,26894 | € 268,94 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,23336 | € 700,08 |
| 6 000 | € 0,21545 | € 1 292,70 |
| 9 000 | € 0,20633 | € 1 856,97 |
| 15 000 | € 0,19607 | € 2 941,05 |
| 21 000 | € 0,19459 | € 4 086,39 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,93000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,13460 |








