Name: SIA921EDJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA921EDJ-T1-GE3TR-ND
Price: 1.2078 EUR
Availability: InStock

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SIA921EDJ-T1-GE3
Codice DigiKey	SIA921EDJ-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIA921EDJ-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIA921EDJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIA921EDJ-T1-GE3
Descrizione	MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Tempi di consegna standard del produttore	38 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 4,5A 7,8W A montaggio superficiale PowerPAK® SC-70-6 doppio
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SIA921EDJ-T1-GE3 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 59mohm a 3,6A, 4,5V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 1,4V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 23nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 7,8W
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Configurazione 2 canali P (doppio)	Contenitore/involucro PowerPAK® SC-70-6 doppio
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore del fornitore PowerPAK® SC-70-6 doppio
Tensione drain/source (Vdss) 20V	Codice componente base SIA921
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,5A

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,99000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,20780

SIA921EDJ-T1-GE3