Name: SIA907EDJT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA907EDJT-T1-GE3TR-ND
Price: 1.9764 EUR
Availability: InStock

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SIA907EDJT-T1-GE3
Codice DigiKey	SIA907EDJT-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIA907EDJT-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIA907EDJT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIA907EDJT-T1-GE3
Descrizione	MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 4,5 A (Tc) 7,8W A montaggio superficiale PowerPAK® SC-70-6 doppio
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 57mohm a 3,6A, 4,5V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 1,4V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 23nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 7,8W
Stato componente Non per nuovi progetti	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Configurazione 2 canali P (doppio)	Contenitore/involucro PowerPAK® SC-70-6 doppio
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore del fornitore PowerPAK® SC-70-6 doppio
Tensione drain/source (Vdss) 20V	Codice componente base SIA907
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,5 A (Tc)

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Classificazioni ambientali e di esportazione

Altre risorse

Sostituti (2)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMP2160UFDBQ-7	Diodes Incorporated	2 303	31-DMP2160UFDBQ-7CT-ND	€ 0,76000	Simile
PMDPB55XP,115	Nexperia USA Inc.	472	1727-PMDPB55XP,115CT-ND	€ 0,65000	Simile

In magazzino: 2 958

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,62000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,97640

SIA907EDJT-T1-GE3