Name: SIA427DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA427DJ-T1-GE3TR-ND
Price: 0.9272 EUR
Availability: InStock

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SIA427DJ-T1-GE3
Codice DigiKey	SIA427DJ-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIA427DJ-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIA427DJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIA427DJ-T1-GE3
Descrizione	MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Tempi di consegna standard del produttore	28 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 8 V 12 A (Tc) 3,5W (Ta), 19W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SC-70-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SIA427DJ-T1-GE3 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 800mV a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 50 nC @ 5 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2300 pF @ 4 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,5W (Ta), 19W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 8 V	Contenitore del fornitore PowerPAK® SC-70-6
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 12 A (Tc)	Contenitore/involucro PowerPAK® SC-70-6
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,2V, 4,5V	Codice componente base SIA427
RDSon (max) a Id, Vgs 16mohm a 8,2A, 4,5V