
SIA427ADJ-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SIA427ADJ-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIA427ADJ-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIA427ADJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIA427ADJ-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6 |
Tempi di consegna standard del produttore | 24 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 8 V 12 A (Tc) 19W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SC-70-6 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIA427ADJ-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 8 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 1,2V, 4,5V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 16mohm a 8,2A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 800mV a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 50 nC @ 5 V | |
Vgs (max) | ±5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2300 pF @ 4 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 19W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SC-70-6 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,70000 | € 0,70 |
| 10 | € 0,43500 | € 4,35 |
| 100 | € 0,28170 | € 28,17 |
| 500 | € 0,21524 | € 107,62 |
| 1 000 | € 0,19383 | € 193,83 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,16661 | € 499,83 |
| 6 000 | € 0,15289 | € 917,34 |
| 9 000 | € 0,14591 | € 1 313,19 |
| 15 000 | € 0,13805 | € 2 070,75 |
| 21 000 | € 0,13341 | € 2 801,61 |
| 30 000 | € 0,12956 | € 3 886,80 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,70000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,85400 |











