Name: SIA112LDJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIA112LDJ-T1-GE3TR-ND
Price: 1.2078 EUR
Availability: InStock

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SIA112LDJ-T1-GE3
Codice DigiKey	742-SIA112LDJ-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIA112LDJ-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIA112LDJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIA112LDJ-T1-GE3
Descrizione	N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Tempi di consegna standard del produttore	55 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 3,5A (Ta), 8,8A (Tc) 2,9W (Ta), 15,6W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SC-70-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SIA112LDJ-T1-GE3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 11.8 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 355 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,9W (Ta), 15,6W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore PowerPAK® SC-70-6
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,5A (Ta), 8,8A (Tc)	Contenitore/involucro PowerPAK® SC-70-6
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base SIA112
RDSon (max) a Id, Vgs 119mohm a 3,5A, 10V

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,99000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,20780

SIA112LDJ-T1-GE3