
SI9933CDY-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI9933CDY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI9933CDY-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI9933CDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI9933CDY-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC |
Tempi di consegna standard del produttore | 49 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 4A 3,1W A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI9933CDY-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali P (doppio) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 20V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 4A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 58mohm a 4,8A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1,4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 26nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 665pF a 10V | |
Potenza - Max | 3,1W | |
Temperatura di funzionamento | -50°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) | |
Contenitore del fornitore | 8-SOIC | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,86000 | € 0,86 |
| 10 | € 0,53300 | € 5,33 |
| 100 | € 0,34790 | € 34,79 |
| 500 | € 0,26812 | € 134,06 |
| 1 000 | € 0,24241 | € 242,41 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,21455 | € 536,38 |
| 5 000 | € 0,19733 | € 986,65 |
| 7 500 | € 0,18855 | € 1 414,12 |
| 12 500 | € 0,17869 | € 2 233,62 |
| 17 500 | € 0,17286 | € 3 025,05 |
| 25 000 | € 0,17126 | € 4 281,50 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,86000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,04920 |











