Name: SI8802DB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8802DB-T2-E1TR-ND
Price: 0.7198 EUR
Availability: OutOfStock

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SI8802DB-T2-E1
Codice DigiKey	SI8802DB-T2-E1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI8802DB-T2-E1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI8802DB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI8802DB-T2-E1
Descrizione	MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 8 V 3 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale 4-Microfoot
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI8802DB-T2-E1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 54mohm a 1A, 4,5V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 700mV a 250µA
Serie TrenchFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 6.5 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±5V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 8 V	Contenitore del fornitore 4-Microfoot
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3 A (Ta)	Contenitore/involucro 4-XFBGA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,2V, 4,5V	Codice componente base SI8802

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,59000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,71980

SI8802DB-T2-E1