SI8424DB-T1-E1 Vishay Siliconix | FET, MOSFET singoli

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Vishay Siliconix

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Prezzo unitario : € 0,81000

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SI8424DB-T1-E1
Codice DigiKey	SI8424DB-T1-E1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI8424DB-T1-E1
Descrizione	MOSFET N-CH 8V 12.2A 4MICROFOOT
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 8 V 12,2 A (Tc) 2,78W (Ta), 6,25W (Tc) A montaggio superficiale 4-Microfoot

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 33 nC @ 5 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1950 pF @ 4 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 2,78W (Ta), 6,25W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 8 V	Contenitore del fornitore 4-Microfoot
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 12,2 A (Tc)	Contenitore/involucro 4-XFBGA, CSPBGA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,2V, 4,5V	Codice componente base SI8424
RDSon (max) a Id, Vgs 31mohm a 1A, 4,5V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SI8424CDB-T1-E1	Vishay Siliconix	550	SI8424CDB-T1-E1CT-ND	€ 0,81000	Simile

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