Name: SI7942DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7942DP-T1-GE3TR-ND
Price: 4.331 EUR
Availability: InStock

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SI7942DP-T1-GE3
Codice DigiKey	SI7942DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI7942DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI7942DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI7942DP-T1-GE3
Descrizione	MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO8
Tempi di consegna standard del produttore	38 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 100V 3,8 A 1,4W A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI7942DP-T1-GE3 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 49mohm a 5,9A, 10V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 24nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 1,4W
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Configurazione 2 canali N (doppio)	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8 doppio
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 doppio
Tensione drain/source (Vdss) 100V	Codice componente base SI7942
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,8 A