Name: SI7942DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7942DP-T1-GE3TR-ND
Price: 4.1236 EUR
Availability: InStock

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SI7942DP-T1-GE3
Codice DigiKey	SI7942DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI7942DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI7942DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI7942DP-T1-GE3
Descrizione	MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO8
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 100V 3,8 A 1,4W A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI7942DP-T1-GE3 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	100V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3,8 A
RDSon (max) a Id, Vgs	49mohm a 5,9A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	24nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	-
Potenza - Max	1,4W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	PowerPAK® SO-8 doppio
Contenitore del fornitore	PowerPAK® SO-8 doppio
Codice componente base	SI7942