Name: SI7431DP-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7431DP-T1-E3TR-ND
Price: 5.5998 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SI7431DP-T1-E3
Codice DigiKey	SI7431DP-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI7431DP-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI7431DP-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI7431DP-T1-E3
Descrizione	MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Tempi di consegna standard del produttore	63 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 200 V 2,2 A (Ta) 1,9W (Ta) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI7431DP-T1-E3 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 174mohm a 3,8A, 10V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 135 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1,9W (Ta)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 200 V	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,2 A (Ta)	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base SI7431