Name: SI7430DP-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7430DP-T1-E3TR-ND
Price: 5.4778 EUR
Availability: InStock

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SI7430DP-T1-E3
Codice DigiKey	SI7430DP-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI7430DP-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI7430DP-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI7430DP-T1-E3
Descrizione	MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Tempi di consegna standard del produttore	38 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 150 V 26 A (Tc) 5,2W (Ta), 64W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI7430DP-T1-E3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,5V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 43 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1735 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 5,2W (Ta), 64W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 150 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 26 A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 8V, 10V	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8
RDSon (max) a Id, Vgs 45mohm a 5A, 10V	Codice componente base SI7430

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3 000	€ 1,52982	€ 4 589,46

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 4,49000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 5,47780

SI7430DP-T1-E3