SI7113DN-T1-GE3 Vishay Siliconix | FET, MOSFET singoli

SI7113DN-T1-GE3 è obsoleto e non è più in produzione.

Sostituti disponibili:

Consigliato dal produttore

Vishay Siliconix

In magazzino: 127

Prezzo unitario : € 0,84000

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SI7113DN-T1-GE3
Codice DigiKey	SI7113DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI7113DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI7113DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI7113DN-T1-GE3
Descrizione	MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 100 V 13,2 A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI7113DN-T1-GE3 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 55 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1480 pF @ 50 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 3,7W (Ta), 52W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -50°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 13,2 A (Tc)	Contenitore/involucro PowerPAK® 1212-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base SI7113
RDSon (max) a Id, Vgs 134mohm a 4A, 10V