Name: SI7106DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7106DN-T1-GE3TR-ND
Price: 3.2086 EUR
Availability: InStock

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SI7106DN-T1-GE3
Codice DigiKey	SI7106DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI7106DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI7106DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI7106DN-T1-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8
Tempi di consegna standard del produttore	38 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 12,5 A (Ta) 1,5W (Ta) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 6,2mohm a 19,5A, 4,5V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 1,5V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 27 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±12V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1,5W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 12,5 A (Ta)	Contenitore/involucro PowerPAK® 1212-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 4,5V	Codice componente base SI7106

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
AON7404	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	8 713	785-1304-1-ND	€ 1,26000	Simile

In magazzino: 2 816

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3 000	€ 0,78642	€ 2 359,26
6 000	€ 0,74366	€ 4 461,96

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,63000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 3,20860

SI7106DN-T1-GE3