Name: SI6913DQ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI6913DQ-T1-GE3TR-ND
Price: 3.1842 EUR
Availability: InStock

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SI6913DQ-T1-GE3
Codice DigiKey	SI6913DQ-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI6913DQ-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI6913DQ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI6913DQ-T1-GE3
Descrizione	MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 12V 4,9A 830mW A montaggio superficiale 8-TSSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 21mohm a 5,8A, 4,5V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 900mV a 400µA
Serie TrenchFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 28nC a 4,5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 830mW
Stato componente Data di acquisto finale	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Configurazione 2 canali P (doppio)	Contenitore/involucro 8-TSSOP (larghezza 0,173", 4,40mm)
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore del fornitore 8-TSSOP
Tensione drain/source (Vdss) 12V	Codice componente base SI6913
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,9A

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3 000	€ 0,77658	€ 2 329,74
6 000	€ 0,73304	€ 4 398,24

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,61000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 3,18420

SI6913DQ-T1-GE3