Name: SI6423DQ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI6423DQ-T1-GE3TR-ND
Price: 2.7694 EUR
Availability: InStock

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SI6423DQ-T1-GE3
Codice DigiKey	SI6423DQ-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI6423DQ-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI6423DQ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI6423DQ-T1-GE3
Descrizione	MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 12 V 8,2 A (Ta) 1,05W (Ta) A montaggio superficiale 8-TSSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI6423DQ-T1-GE3 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 8,5mohm a 9,5A, 4,5V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 800mV a 400µA
Serie TrenchFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 110 nC @ 5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±8V
Stato componente Data di acquisto finale	Dissipazione di potenza (max) 1,05W (Ta)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 12 V	Contenitore del fornitore 8-TSSOP
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 8,2 A (Ta)	Contenitore/involucro 8-TSSOP (larghezza 0,173", 4,40mm)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V	Codice componente base SI6423