Name: SI5922DU-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI5922DU-T1-GE3TR-ND
Price: 1.0004 EUR
Availability: InStock

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SI5922DU-T1-GE3
Codice DigiKey	742-SI5922DU-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SI5922DU-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SI5922DU-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI5922DU-T1-GE3
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
Tempi di consegna standard del produttore	55 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 6 A (Tc) 10,4W A montaggio superficiale PowerPAK® ChipFet doppio
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI5922DU-T1-GE3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 2,2V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 7,1nC a 4,5V
Serie TrenchFET®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 765pF a 15V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 10,4W
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Configurazione 2 canali N (doppio)	Contenitore/involucro PowerPAK® ChipFet doppio
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore del fornitore PowerPAK® ChipFet doppio
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6 A (Tc)	Codice componente base SI5922
RDSon (max) a Id, Vgs 19,2mohm a 5A, 10V

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,82000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,00040

SI5922DU-T1-GE3