Name: SI5922DU-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI5922DU-T1-GE3TR-ND
Price: 0.8418 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SI5922DU-T1-GE3
Codice DigiKey	742-SI5922DU-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SI5922DU-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SI5922DU-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI5922DU-T1-GE3
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
Tempi di consegna standard del produttore	33 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 6 A (Tc) 10,4W A montaggio superficiale PowerPAK® ChipFet doppio
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI5922DU-T1-GE3 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	-
Tensione drain/source (Vdss)	30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	6 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs	19,2mohm a 5A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	7,1nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	765pF a 15V
Potenza - Max	10,4W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	PowerPAK® ChipFet doppio
Contenitore del fornitore	PowerPAK® ChipFet doppio
Codice componente base	SI5922

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

In magazzino: 5 285

Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive

Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)