SI5461EDC-T1-E3 Vishay Siliconix | FET, MOSFET singoli

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Vishay Siliconix

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SI5461EDC-T1-E3
Codice DigiKey	SI5461EDC-T1-E3-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI5461EDC-T1-E3
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 4.5A 1206-8
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Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 4,5 A (Ta) 1,3W (Ta) A montaggio superficiale 1206-8 ChipFET™

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 450mV a 250µA (min)
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 20 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Vgs (max) ±12V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 1,3W (Ta)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Contenitore del fornitore 1206-8 ChipFET™
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,5 A (Ta)	Contenitore/involucro 8-SMD, conduttori piatti
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V	Codice componente base SI5461
RDSon (max) a Id, Vgs 45mohm a 5A, 4,5V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SI5457DC-T1-GE3	Vishay Siliconix	2 167	SI5457DC-T1-GE3CT-ND	€ 0,76000	Simile

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